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成果推介丨高能量密度納米復(fù)合介電儲(chǔ)能材料及脈沖電容器

發(fā)布日期:2023-01-23 瀏覽量:233

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【技術(shù)背景】

隨著電力需求的不斷增長(zhǎng),高性能儲(chǔ)能裝置對(duì)現(xiàn)代社會(huì)的可持續(xù)發(fā)展起著至關(guān)重要的作用。與超級(jí)電容器和鋰電池相比,脈沖儲(chǔ)能電介質(zhì)電容器擁有超高的可釋放功率密度,高的操作電壓、極快的充放電速率以及長(zhǎng)的循環(huán)壽命,是重要的新型功率儲(chǔ)能器件,在新能源汽車、高端醫(yī)療器械、智能電網(wǎng)調(diào)頻、可控核聚變、電磁炮等高功率脈沖技術(shù)的軍民領(lǐng)域有著重要應(yīng)用。

【痛點(diǎn)問題】

1、要獲得足夠的可釋放能量,必須將電容器的體積做得十分龐大,遠(yuǎn)無法滿足當(dāng)前對(duì)輕質(zhì)、小型化以及高儲(chǔ)能性能脈沖電容器的需求,這成為本行業(yè)急需解決的“卡脖子”問題。

2、以 PVDF 為代表的鐵電聚合物材料商用化過程時(shí),美、日等國(guó)一直處于壟斷地位,國(guó)內(nèi)生產(chǎn)的薄膜儲(chǔ)能電容器的儲(chǔ)能密度偏低,與國(guó)外品牌有較大差距。

【解決方案】

1、高介電高長(zhǎng)徑比BaTiO3和SrTiO3納米線的可控制備

本技術(shù)針對(duì)傳統(tǒng)靜態(tài)水熱反應(yīng)產(chǎn)物易團(tuán)聚、易沉淀,難以制備高介電高長(zhǎng)徑比BaTiO3和SrTiO3納米線這一工藝難點(diǎn),設(shè)計(jì)了具有攪拌功能的水熱反應(yīng)釜。采用二次攪拌水熱反應(yīng),利用不同的攪拌速率實(shí)現(xiàn)了對(duì)不同長(zhǎng)度BaTiO3和SrTiO3納米線的可控制備。本技術(shù)BaTiO3和SrTiO3納米線的長(zhǎng)徑比可達(dá)100以上,達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。

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圖1 (a) 500 r/min 與(b) 1000 r/min的攪拌水熱工藝制備的BaTiO3納米線的SEM形貌圖

2、介電陶瓷納米顆粒(納米線)的包覆及表面改性技術(shù)

為了提升介電常數(shù)與擊穿場(chǎng)強(qiáng),本技術(shù)采用在納米顆?;蛘呒{米線表面包覆一層介質(zhì)材料,再利用多巴胺等有機(jī)物進(jìn)行表面改性,改善有機(jī)無機(jī)界面特性。在高介電常數(shù)的BaTiO3納米顆粒表面包覆一層高度絕緣的SiO2層構(gòu)建核殼結(jié)構(gòu)的填料。與未包覆SiO2的BaTiO3納米顆粒填充的復(fù)合材料相比,SiO2包覆雖然降低了復(fù)合材料的電位移,但由于界面極化的降低,顯著提升了擊穿場(chǎng)強(qiáng)的同時(shí)降低了剩余極化,最終實(shí)現(xiàn)了可釋放儲(chǔ)能密度和儲(chǔ)能效率的大幅提升。

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圖2 高介電納米顆粒表面改性,多巴胺修飾SiO2@BT的透射電子顯微圖

3、復(fù)合納米(顆粒)纖維-聚合物多級(jí)復(fù)合介電膜的大面積逐層澆注流延工藝,實(shí)現(xiàn)尺寸不小于20 cm×100 cm高質(zhì)量多層介質(zhì)膜制備

國(guó)際上研究制備的多層納米復(fù)合介質(zhì)膜的尺寸偏小,只適合用于驗(yàn)證材料設(shè)計(jì)的合理性和儲(chǔ)能性能提升的機(jī)理研究,不能滿足薄膜儲(chǔ)能電容器產(chǎn)品制作對(duì)介質(zhì)膜的尺寸要求(不小于20 cm×100 cm,根據(jù)目前制作薄膜儲(chǔ)能電容器產(chǎn)品中卷繞設(shè)備的尺寸決定)。本項(xiàng)目擬采用改進(jìn)的流延機(jī)產(chǎn)品,通過大面積逐層澆注流延工藝,可制備出不小于20 cm×100 cm高質(zhì)量多層介質(zhì)膜,相比同行研究,更接近市場(chǎng)應(yīng)用。

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圖3 (a) 澆注工藝; (b) 流延工藝制備的BaTiO3/P(VDF-TrFE)納米復(fù)合薄膜

4、納米蒸鍍“自愈”性金屬化電極膜技術(shù)

采用絕緣基膜預(yù)處理、納米鋅蒸鍍、表面處理及二次蒸鍍納米銀及氧化銀等工藝,實(shí)現(xiàn)“自愈”性金屬化膜的制備,高壓瞬間擊穿后兩個(gè)極片重新相互絕緣而繼續(xù)工作,大幅提高脈沖電容的可靠性。

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圖4 表面金屬化納米聚合物薄膜及截面微觀結(jié)果圖

5、多層異質(zhì)膜復(fù)合膜大面積“擠出”-“拉伸”制備技術(shù)

利用鐵電層與線性層介電性能的差異實(shí)現(xiàn)對(duì)材料層內(nèi)局域電場(chǎng)分布的調(diào)控,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)擊穿強(qiáng)度(界面阻礙效應(yīng))與界面極化(界面極化效應(yīng))的調(diào)控,最終實(shí)現(xiàn)對(duì)多層異質(zhì)復(fù)合材料儲(chǔ)能性能優(yōu)化。利用“擠出”-“拉伸”制備技術(shù)實(shí)現(xiàn)三明治結(jié)構(gòu)納米復(fù)合多層介電薄膜的大面積宏量制備,從而實(shí)現(xiàn)高儲(chǔ)能密度脈沖薄膜電容的產(chǎn)業(yè)化。

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圖5 BaTiO3/P(VDF-TrFE)納米復(fù)合薄膜的擠出-拉伸制備及測(cè)試過程

【技術(shù)優(yōu)勢(shì)】

當(dāng)前市場(chǎng)掌握脈沖儲(chǔ)能電容技術(shù)的企業(yè)主要有日本東麗、東方集團(tuán)、德國(guó)創(chuàng)世普、廈門法拉和銅峰電子,但是其采用的介質(zhì)材料的儲(chǔ)能密度低,導(dǎo)致產(chǎn)品體積龐大,滿足不了高端應(yīng)用需要,而且其成本較高,不利于市場(chǎng)推廣。

本技術(shù)開發(fā)的產(chǎn)品,優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在:

(1)本技術(shù)的薄膜電容器儲(chǔ)能密度提升至10/cm3以上,從而可以將儲(chǔ)能電容安裝空間由原來的體積縮小至現(xiàn)在的1/3,或在原來的體積不變的情況下,將原來的儲(chǔ)能量提高3倍。

(2)“自愈”性金屬化膜,高壓瞬間擊穿后兩個(gè)極片重新相互絕緣而繼續(xù)工作,脈沖電容可靠性提高2倍以上。

(3)擁有獨(dú)特的材料與器件技術(shù),專利布局完整技術(shù)壁壘高。

【技術(shù)指標(biāo)】

利用上述技術(shù),經(jīng)過企業(yè)成熟的組裝與加工技術(shù)(卷繞、噴金、賦能、焊接和組裝調(diào)試等),獲得了高儲(chǔ)能密度金屬化納米復(fù)合薄膜電容器樣機(jī)。

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圖6 金屬化納米復(fù)合薄膜電容器設(shè)計(jì)與實(shí)物圖

該產(chǎn)品的額定電壓 6500Vdc、電容量 25000μF、重量20kg,性能相比現(xiàn)有產(chǎn)品的電容量提高2-3倍。

【應(yīng)用場(chǎng)景】

可用于應(yīng)用于人工智能、海洋石油天然氣及地質(zhì)勘探、醫(yī)療技術(shù)、準(zhǔn)分子激光器等領(lǐng)域。另外,脈沖儲(chǔ)能電容器作為一種有特殊用途的電容器,同時(shí)也是國(guó)家工信部重點(diǎn)規(guī)劃發(fā)展的元器件。

【市場(chǎng)前景】

隨著微電子、新能源汽車等行業(yè)近些年的快速發(fā)展,電容器的市場(chǎng)規(guī)模迅速擴(kuò)大,每年的全球銷售額達(dá)到數(shù)百億美元。據(jù)統(tǒng)計(jì), 2010-2019年我國(guó)薄膜電容器行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模年復(fù)合增長(zhǎng)率為13%,遠(yuǎn)高于全球薄膜電容器市場(chǎng)8%的復(fù)合增長(zhǎng)率。2020年我國(guó)薄膜電容器市場(chǎng)規(guī)模為102 億元,約占全球市場(chǎng)總產(chǎn)值的60%以上,位居全球第一。隨著碳中和引領(lǐng)的新能源產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用發(fā)展,節(jié)能減排嚴(yán)要求的趨勢(shì),目前薄膜電容器產(chǎn)業(yè)正在從快速增長(zhǎng)期進(jìn)入穩(wěn)定發(fā)展期,行業(yè)發(fā)展的新舊動(dòng)能正處在轉(zhuǎn)換階段。初步估計(jì)2022年國(guó)內(nèi)薄膜電容器市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 120 億元,并以20%以上的速度增長(zhǎng)。本技術(shù)的產(chǎn)品市場(chǎng)定位為高能量密度脈沖功率電容器及其儲(chǔ)能系統(tǒng),目標(biāo)客戶可分為高校與科研院所、軍工單位、醫(yī)療設(shè)備生產(chǎn)企業(yè)、國(guó)家電網(wǎng)相關(guān)企業(yè)等,其產(chǎn)值預(yù)期超過50億元。

【知識(shí)產(chǎn)權(quán)】

該技術(shù)已申請(qǐng)多項(xiàng)中國(guó)發(fā)明專利,下表是部分展示:

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