隨著光模塊高速發(fā)展，AI和數(shù)據(jù)中心要求速率越來(lái)越高，體積越來(lái)越小，傳統(tǒng)的PD打線鍵合已然滿足不了市場(chǎng)需求，主要體現(xiàn)在：

①信號(hào)延遲與寄生電感

較長(zhǎng)的鍵合絲不僅增加了信號(hào)傳輸?shù)穆窂介L(zhǎng)度，還引入了不可忽視的寄生電感，這對(duì)于高速信號(hào)傳輸，無(wú)疑是一大痛點(diǎn)；

②散熱性能

打線鍵合，芯片產(chǎn)生的熱量需要通過(guò)芯片背面的散熱路徑傳導(dǎo)至封裝基板，效率相對(duì)來(lái)說(shuō)很低，限制了芯片在高功率密度應(yīng)用中的表現(xiàn)；

③引腳密度和面積限制

受限于鍵合絲的物理尺寸和芯片布局空間，引線鍵合的I/O引腳密度難以大幅度提升，難以滿足日益增長(zhǎng)的集成度需求。

倒裝鍵合（Flip chip）大大可以改善封裝技術(shù)的格局，芯片通過(guò)凸點(diǎn)直接與封裝基板的焊盤(pán)進(jìn)行電氣互連接，芯片的正面朝下，實(shí)現(xiàn)了“翻轉(zhuǎn)”式的連接。

表1 技術(shù)指標(biāo)

①800G/1.6T…..高速模塊信號(hào)路徑優(yōu)化

倒裝鍵合技術(shù)省去了長(zhǎng)的鍵合絲，信號(hào)可以直接通過(guò)凸點(diǎn)與基板連接，大大縮短了信號(hào)路徑，有效減少了信號(hào)延遲和寄生電感，為后面的高速模塊數(shù)據(jù)傳輸提供了可能

②器件散熱性能更好

芯片與封裝基板的直接連接，使芯片熱量更好的傳遞到基板上面，并通過(guò)散熱系統(tǒng)散發(fā)出去，顯著提高了散熱性能，為高性能、高功耗模塊運(yùn)行提供了可能

③可靠性更高

倒裝技術(shù)允許在芯片表面布置更多、更密集的凸點(diǎn)，從而實(shí)現(xiàn)更高的I/O引腳密度，有效節(jié)省了封裝面積，為小型化、集成化提供了技術(shù)支持，也為器件可靠性提供了保證

已有樣品/樣機(jī)。

隨著半導(dǎo)體的技術(shù)的不斷發(fā)展，倒裝芯片也在持續(xù)進(jìn)化，向著更高集成度、更低功耗、更高速度的方向邁進(jìn)。一方面，隨著新材料、新工藝的應(yīng)用，凸點(diǎn)尺寸不斷縮小，I/O引腳密度不斷提升，為芯片的小型化和集成化提供更多的可能；另一方面，倒裝芯片技術(shù)與先進(jìn)的封裝技術(shù)（如2.5D/3D IC封裝）的結(jié)合，正逐步打破傳統(tǒng)封裝的界限，推動(dòng)著半導(dǎo)體封裝技術(shù)向更高層次邁進(jìn)。

同時(shí)，隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新領(lǐng)域的興起，對(duì)TCB鍵合精度、高可靠性、高穩(wěn)定性提出更高的要求，TCB熱壓倒裝鍵合技術(shù)作為提升器件的關(guān)鍵手段之一，將在這些領(lǐng)域發(fā)揮更加重要的作用。

應(yīng)用案例：

發(fā)展規(guī)劃：

2024年：年底交付首臺(tái)設(shè)備

2025年：獲取光通訊大廠試樣或訂單

2026年：在國(guó)內(nèi)外建立相對(duì)穩(wěn)定化的市場(chǎng)規(guī)模

知識(shí)產(chǎn)權(quán)：

該成果已申請(qǐng)/授權(quán)多項(xiàng)中國(guó)發(fā)明專利。

合作方式：